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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
53
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2374
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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