RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
53
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2374
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link