RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
53
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2374
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link