RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1381
2468
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Porównanie pamięci RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link