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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
34
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1381
2468
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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