RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2468
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link