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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
53
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
48
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2261
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
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