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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
63
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3933
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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