RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
63
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
25
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3933
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link