RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
53
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2581
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link