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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
53
En -130% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3211
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
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