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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
53
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
23
读取速度,GB/s
3,726.4
18.0
写入速度,GB/s
1,590.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3211
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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