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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Puntuación global
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Puntuación global
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 10
    Valor medio en las pruebas
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    47 left arrow 53
    En -13% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 1,590.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    53 left arrow 47
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,726.4 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,590.1 left arrow 7.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    522 left arrow 2308

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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