RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
53
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
47
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2308
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link