RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
71
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
1799
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link