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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
71
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
71
读取速度,GB/s
12.5
14.8
写入速度,GB/s
8.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
1799
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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