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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3230
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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