RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
12.5
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3230
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link