RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
24
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link