RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
96
En -167% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2519
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link