RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
96
En -159% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3001
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link