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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
68
96
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
68
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
1812
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
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