RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
96
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
68
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1812
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link