Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Puntuación global
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 26
    En -18% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.2 left arrow 14.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.6 left arrow 9.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    26 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.1 left arrow 18.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 15.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2354 left arrow 3515
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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