RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Compara
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Puntuación global
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2354
3515
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link