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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
51
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
51
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2314
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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