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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
51
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.9
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
51
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
9.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
2314
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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