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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
51
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
51
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2687
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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