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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3102
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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