RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
47
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2600
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link