RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
47
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2600
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link