RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1896
1650
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9965434-069.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link