RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
71
Por volta de 65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
71
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
6.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
1650
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link