RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
47
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2600
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FE 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link