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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
1989
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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