Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Puntuación global
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 44
    En -57% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 10.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.9 left arrow 13.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1853 left arrow 1989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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