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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
総合得点
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
44
周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
28
読み出し速度、GB/s
10.9
13.2
書き込み速度、GB/秒
7.5
9.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1853
1989
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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