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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
3167
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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