RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
バグを報告する
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 25
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 14.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2051 left arrow 3167

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAMの比較

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
メモリRAM