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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2051
2340
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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