Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB

Revisión RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB, especificaciones, puntos de referencia

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB revisión del módulo de memoria. Principales características técnicas y evaluación de rendimiento de PassMark. Sugerimos estudiar todos los datos y compararlos con el modelo de la competencia.

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Características
  • Type
    DDR3
  • Nombre
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD
  • Características
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Ancho de banda de la memoria
    14200 mbps
  • Tiempos / Velocidad del reloj

    * consultar el sitio web del fabricante

    no data
Rendimiento de PassMark
  • Latencia
    25 ns
  • Velocidad de lectura
    12.6 GB/s
  • Velocidad de escritura
    7.8 GB/s
# 1066 1333 1600 1866 2000 2133 2400 2600 2666 2800 2933 3000 3100 3200 MT/s
7 13.13 10.50 8.75 7.50 7.00 6.56 5.83 5.38 5.25 5.00 4.77 4.67 4.52 4.38
8 15.01 12.00 10.00 8.57 8.00 7.50 6.67 6.15 6.00 5.71 5.46 5.33 5.16 5.00
9 16.89 13.50 11.25 9.65 9.00 8.44 7.50 6.92 6.75 6.43 6.14 6.00 5.81 5.63
10 18.76 15.00 12.50 10.72 10.00 9.38 8.33 7.69 7.50 7.14 6.82 6.67 6.45 6.25
11 20.64 16.50 13.75 11.79 11.00 10.31 9.17 8.46 8.25 7.86 7.50 7.33 7.10 6.88
12 22.51 18.00 15.00 12.86 12.00 11.25 10.00 9.23 9.00 8.57 8.18 8.00 7.74 7.50
13 24.39 19.50 16.25 13.93 13.00 12.19 10.83 10.00 9.75 9.29 8.86 8.67 8.39 8.13
14 26.27 21.01 17.50 15.01 14.00 13.13 11.67 10.77 10.50 10.00 9.55 9.33 9.03 8.75
15 28.14 22.51 18.75 16.08 15.00 14.06 12.50 11.54 11.25 10.71 10.23 10.00 9.68 9.38
16 30.02 24.01 20.00 17.15 16.00 15.00 13.33 12.31 12.00 11.43 10.91 10.67 10.32 10.00
CL

La latencia CAS mide el número de ciclos de reloj que pasan desde que se realiza una petición de lectura de datos hasta que dicha información está disponible

Pruebas de rendimiento

Pruebas reales Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB
Velocidad de transferencia de lectura sin caché
Tiempo medio de lectura en memoria sin caché
Velocidad de transferencia de escritura
Velocidad media de escritura
Califique la RAM
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