Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB

Recensione RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB, specifiche, parametri di riferimento

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB recensione del modulo di memoria. Principali caratteristiche tecniche e valutazione delle prestazioni del benchmark di PassMark. Suggeriamo di studiare tutti i dati e di confrontarli con il modello della concorrenza.

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Caratteristiche
  • Type
    DDR3
  • Nome
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD
  • Caratteristiche
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Larghezza di banda della memoria
    14200 mbps
  • Temporizzazioni / Velocità di clock

    * Controllare il sito web del produttore

    no data
Prestazioni di PassMark
  • Latenza
    25 ns
  • Velocità di lettura
    12.6 GB/s
  • Velocità di scrittura
    7.8 GB/s
# 1066 1333 1600 1866 2000 2133 2400 2600 2666 2800 2933 3000 3100 3200 MT/s
7 13.13 10.50 8.75 7.50 7.00 6.56 5.83 5.38 5.25 5.00 4.77 4.67 4.52 4.38
8 15.01 12.00 10.00 8.57 8.00 7.50 6.67 6.15 6.00 5.71 5.46 5.33 5.16 5.00
9 16.89 13.50 11.25 9.65 9.00 8.44 7.50 6.92 6.75 6.43 6.14 6.00 5.81 5.63
10 18.76 15.00 12.50 10.72 10.00 9.38 8.33 7.69 7.50 7.14 6.82 6.67 6.45 6.25
11 20.64 16.50 13.75 11.79 11.00 10.31 9.17 8.46 8.25 7.86 7.50 7.33 7.10 6.88
12 22.51 18.00 15.00 12.86 12.00 11.25 10.00 9.23 9.00 8.57 8.18 8.00 7.74 7.50
13 24.39 19.50 16.25 13.93 13.00 12.19 10.83 10.00 9.75 9.29 8.86 8.67 8.39 8.13
14 26.27 21.01 17.50 15.01 14.00 13.13 11.67 10.77 10.50 10.00 9.55 9.33 9.03 8.75
15 28.14 22.51 18.75 16.08 15.00 14.06 12.50 11.54 11.25 10.71 10.23 10.00 9.68 9.38
16 30.02 24.01 20.00 17.15 16.00 15.00 13.33 12.31 12.00 11.43 10.91 10.67 10.32 10.00
CL

La latenza CAS misura il numero di cicli di clock che intercorrono tra la richiesta di lettura dei dati e la disponibilità di tali informazioni.

Test di prestazione

Test reali Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U7EFR8C-RD 2GB
Velocità di trasferimento in lettura senza cache
Tempo medio di lettura della memoria senza cache
Velocità di trasferimento in scrittura
Velocità media di scrittura
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