RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Comparez
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Note globale
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1677
3291
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link