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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2528
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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