RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2088
2528
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link