RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
2426
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link