RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
39
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2426
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link