RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
104
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
57
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
9.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2213
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link