RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
94
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
49
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2673
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Comparaison des RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link