RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
73
94
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
73
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
1712
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link