RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
94
Autour de -213% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
30
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3352
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link