RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
94
Autour de -422% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.6
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
18
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
18.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3607
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link