RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
94
Autour de -176% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
34
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2237
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link